单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备

• 作者: 倪海桥 崔碧峰 方志丹 牛智川 邢艳辉 黄社松
• 来源期刊: 功能材料与器件学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单光子源 低密度 量子点
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 915-918
• 页数: 4页
• 分类号: O482.3
• 字数: 1069字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.012

摘要

通过优化分子束外延生长条件,得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs/GaAs量子点.使用极低的InAs生长速率(0.001单层/秒)可以把量子点的密度降低到4×106cm-2.这些结果使得InAs/GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邢艳辉	北京工业大学光电子技术实验室	20	59	5.0	6.0
2	崔碧峰	北京工业大学光电子技术实验室	51	172	7.0	10.0
3	牛智川	中国科学院半导体研究所	45	124	5.0	8.0
4	倪海桥	中国科学院半导体研究所	14	8	1.0	1.0
5	方志丹	北京工业大学光电子技术实验室	2	1	1.0	1.0
6	黄社松	中国科学院半导体研究所	1	1	1.0	1.0