图案化铜纳米线阵列的制备

• 作者: 佘希林 刘曦 孙峋 宋国君 王树龙
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 化学
• 关键词: 图案化 铜纳米线 阵列结构 紫外光刻法
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试测
• 页码范围: 51-53
• 页数: 3页
• 分类号: O646.542
• 字数: 2114字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.12.016

摘要

采用紫外光刻法制得图案化的阳极氧化铝模板.在模板上蒸镀金膜后,采用电化学沉积法制备了铜纳米线,用扫描电子显微镜观察,研究了最佳电化学沉积时间.结果表明,铜纳米线阵列的图案与掩膜的图案完全一致,呈直径约5 μm的圆形.铜纳米线的长度随沉积时间的增加而增长,沉积时间20 min,即可制得长度约5 μm的铜纳米线阵列结构.在此基础上可研制微器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋国君	青岛大学高分子材料研究所	171	1471	19.0	28.0
2	佘希林	青岛大学高分子材料研究所	47	322	10.0	15.0
3	孙峋	青岛大学高分子材料研究所	10	196	5.0	10.0
4	王树龙	青岛大学高分子材料研究所	10	39	4.0	5.0
5	刘曦	青岛大学高分子材料研究所	6	18	2.0	3.0