高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

• 作者: 吕坚 吴志明 李素 王靓 黄颖
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准电压源 互补型金属氧化物半导体 电源抑制比 温度系数
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 453-456
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1528字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2008.03.038

摘要

介绍了一种采用0.5μm CMOSN阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数.通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得整个带隙基准电路具有非常高的电源抑制比.基于SPECTRE的仿真结果表明,其电源抑制比可达116dB,在-40℃~85℃温度范围内温度系数为46ppm/℃,功耗仅为1.45mW,可以广泛应用于模/数转换器、数/模转换器,偏置电路等集成电路模块中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴志明	电子科技大学光电信息学院	78	544	13.0	17.0
2	吕坚	电子科技大学光电信息学院	35	246	10.0	13.0
3	黄颖	电子科技大学光电信息学院	7	44	4.0	6.0
4	李素	电子科技大学光电信息学院	4	35	4.0	4.0
5	王靓	电子科技大学光电信息学院	1	12	1.0	1.0