高速沉积μc-Si:H薄膜生长机制及其微结构的研究

• 作者: 任慧志 候国付 孙建 张德坤 张晓丹 耿新华 蔡宁 薛俊明 袁育杰 赵颖 郭群超 韩晓艳 魏长春
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶硅薄膜(μc-Si:H) 微结构 纵向均匀性 衬底形貌
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 54-57
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2838字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.01.014

摘要

采用高压高功率的超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,在腐蚀后的7059玻璃、低晶化和高晶化的微晶硅(μc-Si:H)p型材料3种衬底上,通过改变沉积时间的方法,高速(沉积速率约为1 nm/s)沉积了不同厚度的μc-Si:H薄膜材料.测试其表面形貌及晶化率,比较了不同衬底上高速生长的μc-Si:H薄膜生长机制及微结构的差异,最后得到适于高速沉积pin μc-Si:H太阳电池的μc-Si:H p型材料应具备的条件.