甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

• 作者: 吴春亚 杨恢东 熊绍珍 耿新华 薛俊明 赵颖
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2865-2869
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3793字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.11.037

摘要

对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc-Si∶H薄膜中,氧以Si-O,O-O和O-H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc-Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc-Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc-Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊绍珍	南开大学光电子研究所	63	380	12.0	18.0
2	吴春亚	南开大学光电子研究所	26	305	9.0	17.0
3	薛俊明	南开大学光电子研究所	26	157	7.0	11.0
4	耿新华	南开大学光电子研究所	62	364	13.0	17.0
5	赵颖	南开大学光电子研究所	105	1195	16.0	33.0
6	杨恢东	南开大学光电子研究所	13	91	5.0	9.0