320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器

• 作者: 史衍丽
• 来源期刊: 红外与激光工程
• 学科: 工学
• 关键词: 320×256 GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器 黑体探测率 响应率
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 热点栏目——红外探测器与材料
• 页码范围: 42-44,101
• 页数: 4页
• 分类号: TN362
• 字数: 3083字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2276.2008.01.009

摘要

采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30μm,像元光敏面28μm×28μm,两像元间距2μm,达到了目前国际上lk×lk量子阱焦平面探测器像元间距研制水平.通过对320×256阵列上设计的陪管区进行光电性能测试,平均黑体探测率1.66×109 cm·Hz/W-1,响应率89.6 mA/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史衍丽	昆明北方红外技术股份有限公司探测器中心	1	25	1.0	1.0