纳米硅/晶体硅异质结电池的暗Ⅰ-Ⅴ特性和输运机制

• 作者: 刘丰珍 周玉琴 崔介东 张群芳 朱美芳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米硅薄膜 异质结电池 暗电流-电压特性 输运机制
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 549-553
• 页数: 5页
• 分类号: O475
• 字数: 3778字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.028

摘要

采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗Ⅰ-Ⅴ特性和相应的电池性能参数.室温下的正向暗Ⅰ-Ⅴ特性采用双二极管模型来拟合,可将0～1V的电压范围区分为4个区域:旁路电阻(0～0.15V)、非理想二极管2(0.15～0.3V)、理想二极管1(0.3～0.5V)和串联电阻(>0.5V).拟合结果表明,适当的氢处理时间(～30s)可有效降低非理想二极管的理想因子n2,即降低界面复合电流,表明具有好的界面特性.对于282～335K的暗Ⅰ-Ⅴ温度特性的研究表明,在0.15～0.3V的低电压范围,暗电流主要由耗尽区的复合电流提供,0.3～0.5V电压范围,对输运起主要作用的是隧穿过程,该过程可用通过界面陷阱能级的隧穿模型来解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丰珍	中国科学院研究生院物理科学学院	17	105	4.0	10.0
2	崔介东	中国科学院研究生院物理科学学院	1	4	1.0	1.0
3	张群芳	中国科学院研究生院物理科学学院	3	29	2.0	3.0
4	朱美芳	中国科学院研究生院物理科学学院	11	98	4.0	9.0
5	周玉琴	中国科学院研究生院物理科学学院	11	46	4.0	6.0