基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源

• 作者: 曹寒梅 杨银堂 王宗民 蔡伟 陆铁军
• 来源期刊: 电子与信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙电压基准源 负反馈箝位 温度稳定性
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 1517-1520
• 页数: 4页
• 分类号: TN431.2
• 字数: 2768字
• 语种: 中文

摘要

该文提出了一种结构简单的高性能带隙电压基准源.电路设计中采用负反馈箝位技术实现电压箝位,消除了运放自身失调效应的影响,简化了电路设计;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比(PSRR).整个电路采用SMIC 0.18mm 标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-15～70℃范围内的温度系数为10.8ppm/℃,直流PSRR为74.7dB,在10Hz~1MHz频带内的总的输出噪声电压为148.7mV /sqrt(Hz).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	王宗民		24	116	7.0	9.0
3	曹寒梅	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	29	3.0	5.0
4	陆铁军		23	113	6.0	9.0
5	蔡伟		7	45	4.0	6.0