直流磁控溅射制备a-Si:H膜工艺及其在激光器腔面膜上的应用

• 作者: 么艳平 刘春玲 王春武 王玉霞 薄报学
• 来源期刊: 中国激光
• 关键词: 薄膜 氢化非晶硅 半导体激光器 椭偏仪 折射率 消光系数
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 436-439
• 页数: 4页
• 字数: 2005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2008.03.025

摘要

利用直流(DC)磁控溅射方法制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.研究了氢气流量、溅射源功率对膜的沉积速率、氢含量(CH)以及光学性能的影响.通过傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱计算氢含量,其最大原子数分数为11%.用椭偏仪测量了膜的折射率n和消光系数k,发现 a-Si:H薄膜的k值和n值都随CH的增加而减小.将优化的实验结果用于半导体激光器腔面高反镜的镀制,a-Si:H薄膜在808 nm波长处的n和k分别为3.2和8×10-3,获得了良好的激光输出特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王春武	吉林师范大学信息技术学院	29	139	6.0	10.0
2	刘春玲	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	64	177	7.0	9.0
6	薄报学	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	44	252	9.0	14.0
7	王玉霞	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	136	6.0	11.0
8	么艳平	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	6	48	4.0	6.0