氨化Ga2O3/Nb薄膜制备GaN纳米线

• 作者: 庄惠照 张士英 李保理 薛成山
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: GaN纳米线 磁控溅射 氨化
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 54-56
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2612字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.01.017

摘要

采用射频磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/ Nb薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)详细分析了GaN纳米线的结构和形貌.结果表明:采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,其纳米线的直径大约在50～100nm之间,纳米线的长约几个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于364.4nm的很强的紫外发光峰.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
2	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
3	张士英	山东师范大学半导体研究所	3	2	1.0	1.0
4	李保理	山东师范大学半导体研究所	3	2	1.0	1.0