低温分子束外延生长的GaMnAs反射光谱的低能振荡现象

• 作者: Luo Xiang-Dong Wang Yu-Qi 姬长建 王建农
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaMnAs 反射光谱 空穴浓度 折射率
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5277-5283
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 4505字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.08.097

摘要

通过傅里叶变换红外光谱和光调制反射光谱技术测量了不同Mn含量的低温分子束外延生长在GaAs衬底上的GaMnAs样品的反射光谱.在低于Ga(Mn)As带边的红外反射光谱和光调制反射光谱上观测到低能振荡现象.通过分析振荡产生的原因并使用双层界面反射模型拟合了红外反射光谱的低能振荡过程,拟合结果与实验相符.研究表明,反射光谱的低能振荡是由于GaMnAs中空穴浓度的变化导致GaMnAs中的折射率发生变化,GaMnAs与衬底GaAs之间的折射率差导致了不同Mn含量的GaMnAs材料的反射谱的低能振荡现象.测量了不同GaMnAs材料在室温和低温下的光调制光谱,进一步说明GaMnAs材料中空穴浓度对反射光谱的低能振荡现象的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王建农	香港科技大学物理系	13	55	4.0	7.0
2	Luo Xiang-Dong	中国科学院固体物理研究所	1	0	0.0	0.0
3	姬长建	香港科技大学物理系	1	0	0.0	0.0
4	Wang Yu-Qi	中国科学院固体物理研究所	1	0	0.0	0.0