蓝宝石基片的处理方法对ZnO薄膜生长行为的影响

• 作者: 刘志文 刘明 张庆瑜 秦福文 谷建峰 马春雨
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 反应磁控溅射 基片处理 形貌分析
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1133-1140
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 6089字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.081

摘要

采用反应射频磁控溅射方法,在经过不同方法处理的蓝宝石基片上,在同一条件下沉积了ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、反射式高能电子衍射等分析技术,对基片和薄膜的结构、表面形貌进行了系统表征.研究结果显示,不同退火条件下的蓝宝石基片表面结构之间没有本质的差异,均为α-Al2O3 (001)晶面,但基片表面形貌的变化较大.在不同方法处理的蓝宝石基片上生长的ZnO薄膜均具有高c轴取向的织构特征,但薄膜的表面形貌差异较大.基片经真空退火处理后, ZnO薄膜的生长形貌与基片未处理时十分类似,具有+c取向和-c取向两种外延岛特征;基片经氮气环境退火后,ZnO薄膜的生长形貌具有单一的-c取向外延岛特征,晶粒尺寸较大,但薄膜表面粗糙度没有明显改善;基片经氧气环境退火后,ZnO薄膜的生长形貌仍为-c取向外延岛特征,薄膜表面粗糙度显著降低.对于未处理、真空退火、氮气退火和氧气退火等方法处理的蓝宝石基片ZnO薄膜表面形貌的自仿射关联长度分别为619,840,882和500 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	40	235	8.0	14.0
2	刘明	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	45	494	12.0	20.0
3	张庆瑜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	92	897	16.0	25.0
4	马春雨	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	22	178	8.0	12.0
5	谷建峰	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	9	123	6.0	9.0
6	刘志文	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	12	264	8.0	12.0