半导体技术-低介电常数氟化非晶碳薄膜的制备与检测

• 作者: 刘雄飞 肖剑荣 高金定
• 来源期刊: 中国学术期刊文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 a-C:F薄膜 检测
• 年，卷（期）: 2008,（16）
• 页码范围: 6
• 页数: 1页
• 分类号: TN41|O484.1
• 语种: 中文

摘要

氟化非晶碳(a-C:F)薄膜具有介电常数低、热稳定性好等优点,普遍认为是下一代集成电路互联层绝缘介质的最佳候选材料之一.结合研究实践,综述了国内外低介电常数氟化非晶碳薄膜主要的制备技术、工艺参数及性能检测技术,指出了介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该薄膜实用化的主要原因.图4表2参16(曾革)