离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I-V、RD-V特性的研究(上)

• 作者: 何波 史衍丽 孟夏杰 徐静 李凤 沈玲 赵磊 马忠权
• 来源期刊: 红外
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe 环孔pn结 I-V特性 动态电阻 表面漏电流
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TN2
• 字数: 3122字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8785.2009.01.001

摘要

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数.计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能.HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史衍丽		41	372	8.0	18.0
2	何波	上海大学理学院物理系	4	6	2.0	2.0
3	马忠权	上海大学理学院物理系	25	87	5.0	8.0
4	徐静	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	11	43	3.0	6.0
5	赵磊	上海大学理学院物理系	11	55	3.0	7.0
6	李凤	上海大学理学院物理系	6	19	2.0	4.0
7	沈玲	上海大学理学院物理系	10	23	2.0	4.0
8	孟夏杰	上海大学理学院物理系	3	8	2.0	2.0