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Anisotropy and thickness effects on reflection coefficients and acoustic signatures of bulk and thin Ge and μ-Ge deposited on SiO2 substrates
Anisotropy and thickness effects on reflection coefficients and acoustic signatures of bulk and thin Ge and μ-Ge deposited on SiO2 substrates
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | Anisotropy and thickness effects on reflection coefficients and acoustic signatures of bulk and thin Ge and μ-Ge deposited on SiO2 substrates | ||
| 来源期刊 | 材料科学与工程：中英文版 | 学科 | 物理学 |
| 关键词 | 各向异性 SIO2 签名 散装 厚度 系数和 声反射 基板 | ||
| 年，卷（期） | clkxygczy-a_2009,（8） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 8-14 | |
| 页数 | 7页 | 分类号 | O343.8 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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材料科学与工程：中英文A版
主办单位：
美国大卫出版公司
出版周期：
季刊
ISSN：
2161-6213
CN：
开本：
出版地：
武汉洪山区卓刀泉北路金桥花园C座4楼
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