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SIMS investigation on the 3C-SiC on Si
SIMS investigation on the 3C-SiC on Si
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摘要：
推荐文章
Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究
3C-SiC
Raman光谱
Si(100)
蓝宝石(0001)
3C-SiC/Si(111)的掠入射X射线衍射研究
X射线衍射
掠入射衍射
硅
碳化硅
固源分子束外延
Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除
3C-SiC
碳化
异质外延
生长
Si衬底
Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析
XPS
3C-SiC
外延
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | SIMS investigation on the 3C-SiC on Si | ||
| 来源期刊 | 材料科学与工程：中英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | SIC薄膜 SIMS 3C 硅片 能量水平 浓度测量 掺杂浓度 电导率测量 | ||
| 年，卷（期） | clkxygczy-a_2009,（8） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 15-17 | |
| 页数 | 3页 | 分类号 | TN304.24 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
SIC薄膜
SIMS
3C
硅片
能量水平
浓度测量
掺杂浓度
电导率测量
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料科学与工程：中英文A版
主办单位：
美国大卫出版公司
出版周期：
季刊
ISSN：
2161-6213
CN：
开本：
出版地：
武汉洪山区卓刀泉北路金桥花园C座4楼
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
972
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2
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