电子辐照直拉硅V-O相关缺陷的红外研究

• 作者: 李海军 蔡莉莉
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 电子辐照 辐照缺陷 VO FTIR
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 227-231
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2009.02.018

摘要

应用兀FTIR技术研究了1.5 MeV不同剂量电子辐照直拉硅(CZ-si)的V-O缺陷在不同温度热处理时的行为.发现随着辐照剂量的增加,间隙氧的吸收峰不断下降,而VO(830 cm-1)强度迅速增加,并且其退火温度随辐照剂量的增加而升高,伴随830 cm-1峰的出现,在860 cm-1处出现一弱的吸收峰,两者有着相似的退火行为.VO0(830 cm-1)与样品中的初始间隙氧含量无关.400℃热处理,出现了889cm-1对应的复合体VO2,其形成主要在退火初期,该峰强度不随退火时间发生变化,但与初始氧含量有关.