Zn缺陷对ZnO薄膜光学特性的影响

• 作者: 单晶 吴炜 江雪 谭天亚 郭永新 陈俊杰
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 光致发光 Zn缺陷
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 6-8
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2009.01.002

摘要

采用射频磁控溅射方法在熔石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜.薄膜的X射线衍射(XRD)分析表明样品具有较好的结晶性和良好的c轴取向.光致发光(PL)性能分析发现,分别在398 nm和470 nm波长出现了较强的发光峰,与ZnO薄膜通常的发光峰位置明显不同.通过分析表明,398 nm波长的发光峰是由于导带电子跃迁到Zn空位引起,470 nm波长的发光峰是由于间隙Zn电子跃迁到Zn空位上而产生.