多电源混合电压SoC的全芯片ESD设计实例

• 作者: 罗静
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 全芯片ESD设计 SoC
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: TP702
• 字数: 3574字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.06.003

摘要

SoC是含有微处理器、外围电路等的超大规模集成电路,具有器件特征尺寸小、复杂度高、面积大、数模混合等特点,SoC的ESD设计成为设计师面临的一个新的设计挑战.文章详细介绍了一个复杂的多电源、混合电压专用SoC芯片的全芯片ESD设计方案,并结合电路特点仔细分析了SoC芯片ESD设计的难点,提出了先工艺、再器件,再电路三个层次的分析思路,并将芯片ESD总体解决方案中的关键设计重点进行了逐一分析,最后给出了全芯片ESD防护架构的示意图.该SoC芯片基于0.35μm 2P4M Polycide混合信号CMOS工艺流片,采用文中提出的全芯片EsD防护架构,使该芯片的HBM ESD等级达到了4kV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗静	中国电子科技集团公司第五十八所	12	35	3.0	5.0