ZnO薄膜及ZnO-TFT的性能研究

• 作者: 王中健 王龙彦 荆海 马仙梅 马凯
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌薄膜晶体管 氧化锌薄膜 X射线衍射 光致发光
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 393-395
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+1|TN321+.5
• 字数: 1474字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2009.03.013

摘要

采用MOCVD法在SiNx绝缘薄膜上生长了ZnO薄膜,通过X射线衍射与光致发光光谱表征了ZnO薄膜的质量.其结果是:XRD特征峰半高全宽0.176°,光致发光仅有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势.制备了底栅型ZnO薄膜晶体管,测试表明器件具有明显的场效应特性及饱和特性.