一种高电源抑制比的基准电压源设计

• 作者: 付秀兰 向蓓 汤志强 黄英
• 来源期刊: 合肥工业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准电压源 电源抑制比 输出噪声 温度系数
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 564-567
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-5060.2009.04.030

摘要

文章采用0.6 μm N阱CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比、低噪声的带隙基准电压源.在传统带隙基准电路结构的基础上,采用添加新的电压支路,在环路反馈网络中直接引进噪声的理念,提高了电源抑制比.利用Cadence Spectre工具仿真,结果表明,电路工作电压范围为2.5～5.5 V,输出基准电压为1.2 V,低频时电源抑制比可达到110 dB,在-25～85 ℃范围内温漂为26×10-6/℃,在10～1.0×105 Hz带宽范围内的RMS电压噪声为43 μV,具有高电源抑制比、低输出噪声的特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄英	合肥工业大学应用物理系	67	720	17.0	23.0
2	汤志强	合肥工业大学应用物理系	2	5	1.0	2.0
3	付秀兰	合肥工业大学应用物理系	4	43	3.0	4.0
4	向蓓	合肥工业大学应用物理系	5	64	4.0	5.0