偏压对磁控溅射ZnO薄膜的成核机制及表面形貌演化动力学的影响

• 作者: 付伟佳 刘志文 刘明 张庆瑜 谷建峰
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 反应射频磁控溅射 偏压 形貌分析
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 602-606
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3033字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2009.00602

摘要

利用反应射频磁控溅射技术,通过对基体施加负偏压溅射ZnO薄膜,探讨了固定偏压下ZnO薄膜的表面形貌随沉积时间的演化以及不同偏压对ZnO薄膜表面形貌的影响. 研究结果表明,在-100V的偏压下,随着沉积时间的增加,ZnO薄膜的表面岛尺寸不断减小,密度逐渐变大. ZnO在基片表面成核过程中的本征缺陷成核阶段和轰击缺陷成核阶段的生长指数分别为(0.45±0.03)和(0.22±0.04),低速率成核过程基本消失;随着偏压增大,表面岛的尺寸变大,表面起伏增加. 偏压不但可以改变ZnO薄膜的成核和生长过程,而且影响薄膜的晶体取向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	大连理工大学三束材料改性重点实验室	45	494	12.0	20.0
2	张庆瑜	大连理工大学三束材料改性重点实验室	92	897	16.0	25.0
3	谷建峰	大连理工大学三束材料改性重点实验室	9	123	6.0	9.0
4	付伟佳	大连理工大学三束材料改性重点实验室	6	75	4.0	6.0
5	刘志文	大连理工大学三束材料改性重点实验室	12	264	8.0	12.0