溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能

• 作者: 张振兴 潘孝军 谢二庆 贾璐
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶氮化镓 溅射 光学带隙 带尾态
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3377-3382
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.078

摘要

采用直流磁控溅射方法在不同的氩气-氮气(Ar-N2)气氛中制备了非晶氮化镓(a-GaN)薄膜. X射线衍射分析(XRD)和拉曼光谱(Raman)表明薄膜具有非晶结构. 通过椭偏光谱(SE)得到薄膜的折射率和厚度都随着氩气分量的增多而增大. 紫外-可见光谱(UV-Vis)的测量得到,当氩气分量R,即Ar/(Ar+N2),为0%时,薄膜的光学带隙为3.90eV,比晶体GaN (c-GaN) 的较大,这主要是由非晶结构中原子无序性造成的;而当R增大时(10%-40%),薄膜的光学带隙降低为2.80-3.30eV,这可能是由于薄膜中存在未成键Ga原子引起的. 对吸收带尾进行了拟合,得到在高能量和低能量范围的带尾态特征能量分别为0.257-0.338eV和1.44-1.89eV,表明a-GaN具有比c-GaN更宽的带尾态. 在室温光致发光(PL)谱中,360nm处的发光峰来源于带间发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢二庆	兰州大学物理科学与技术学院	84	371	11.0	14.0
2	张振兴	兰州大学物理科学与技术学院	20	40	4.0	5.0
3	潘孝军	兰州大学物理科学与技术学院	13	38	4.0	5.0
4	贾璐	兰州大学物理科学与技术学院	4	7	2.0	2.0