一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型

• 作者: 朱樟明 杨银堂 钱利波
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米级CMOS 互连串扰 分布式 RLC解析模型
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2631-2636
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.078

摘要

基于纳米级CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了分布式RLC耦合互连解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下提出了受扰线远端的数值表达式. 基于90和65 nm CMOS工艺,对不同的互连耦合尺寸下的分布式RLC串扰解析模型和Hspice仿真结果进行了比较,误差绝对值都在4%内,能应用于纳米级片上系统(SOC)的电子设计自动化(EDA)设计和集成电路优化设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所	164	1318	18.0	26.0
3	钱利波	西安电子科技大学微电子研究所	5	53	5.0	5.0