450 mm IC级硅单晶的制备

• 作者: 常青 戴小林
• 来源期刊: 中国材料进展
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅单晶 450 mm直径硅片 制备
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 21-24
• 分类号: O782
• 字数: 3702字
• 语种: 中文

摘要

450 mm直径的硅片面积比目前主流300 mm硅片面积大2.25倍,是下一代半导体芯片的衬底.国外许多半导体设备和材料公司已联手开展这方面的研究工作.从技术和市场角度讨论分析了以下问题:①投料量和单晶收率的关系;②籽晶的承重;③设备安全性,防止一氯化硅粉尘的爆燃;④晶体质量的控制,从热场的选择和设计、缺陷控制、单晶体金属控制等方面做了分析;⑤对当前国内外相关原材料的市场情况进行了讨论.文章指出,现在国内直径450 mm硅晶体生长的研发条件已经成熟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴小林		6	49	3.0	6.0
2	常青		7	29	3.0	5.0