MPCVD多晶金刚石薄膜的生长特性研究

• 作者: 姚宁 崔娜娜 田永涛 马孝田 鲁占灵
• 来源期刊: 工业金刚石
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶金刚石薄膜 MPCVD 生长特性 化学气相沉积系统 单晶硅衬底 RAMAN光谱 成核密度 微波等离子
• 年，卷（期）: gyjgs_2010,（1）
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.65

摘要

本文用微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD）在单晶硅衬底上制备多晶金刚石薄膜，反应气体为CH4和H2。利用扫描电镜（SEM）和Raman光谱研究了CH4流量和反应时间对多晶金刚石薄膜形貌和碳结构的影响。结果表明：随着CH4流量的增加，金刚石的成核密度增加，并出现二次形核，金刚石颗粒从单晶逐渐转变为多晶结构。多晶金刚石薄膜的生长过程为：生长初期在单晶硅衬底上形成非晶碳层，金刚石在非晶碳层上成核长大，并伴随着二次成核，最终形成多晶金刚石膜。