GaN—LED芯片上ITO膜侧蚀异常的改善

• 作者: 林岳明
• 来源期刊: 显示器件技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铟锡侧蚀 电子束蒸镀 合金 热处理 刻蚀 外延片
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055

摘要

氧化铟锡（ITO）对可见光具有高透过率及高电导率，常当作透明电极被广泛应用于发光元件上。使用合金的热处理方式。探讨了ITO经热处理后对刻蚀的影响。用电子束蒸镀机在GaN外延片上蒸镀一层ITO膜。用W In．o，：Wsn0．=0．95：0．05的ITO锭做靶材。然后把每个外延片切成两半，其中一半在氮气氛中合金，另一半不做合金，然后所有的半圆片去做光刻，最后刻蚀ITO，去胶测量图中圆形（电极直径）的尺寸并比较侧蚀量的大小．发现合金后刻蚀ITO比不合金直接刻蚀ITO要好。