用表面粗化ITO的欧姆接触提高GaN基LED性能

• 作者: 姚雨 孙卓 董志江 靳彩霞 黄素梅
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: GaN基发光二极管 铟锡氧化物 表面粗化 自然光刻
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 273-277
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.008

摘要

应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片.聚苯乙烯纳米颗粒在于法刻蚀中作为刻蚀掩膜.通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数.结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙卓	华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心	39	200	8.0	11.0
2	董志江		2	19	1.0	2.0
3	姚雨	华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心	1	18	1.0	1.0
4	靳彩霞	华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心	1	18	1.0	1.0
5	黄素梅	华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心	5	38	3.0	5.0