ITO表面微元粗化对GaN基LED光效的改善

• 作者: 孙少娇 牛萍娟 邢海英
• 来源期刊: 天津工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 外量子效率 发光效率 表面粗化 微元结构
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 电子信息及自动化
• 页码范围: 64-67
• 页数: 4页
• 分类号: TM923.01
• 字数: 1206字
• 语种: 中文

摘要

针对定量分析LED表面粗化尺寸及其形状对出光效率的影响这一难题,采用Lighttools软件,利用蒙特卡洛光线追迹方法,模拟仿真了传统LED以及4种不同表面粗化微元结构LED的出光效率和光场分布.模拟结果显示,LED的粗化在最佳尺寸下可以将LED的发光效率提高到70％,该结果对提高GaN基LED的发光效率具有一定的参考价值和指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛萍娟	天津工业大学电气工程与自动化学院	123	617	13.0	17.0
10	孙少娇	天津工业大学电子与信息工程学院	1	3	1.0	1.0