非晶硅薄膜表面形貌和光学性质的工艺研究

• 作者: 刘爽 张佳宁 张怡 陈伟
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶硅 PECVD 折射率 表面形貌 生长机理
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 406-411
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文

摘要

采用PECVD在K9玻璃基底上制备了非晶硅薄膜,通过改变射频功率、反应压强和基片温度制得不同的薄膜样品.采用金相显微镜对其表面形貌进行了观察,通过椭圆偏振法测得了不同工艺条件下薄膜样品的折射率、消光率及厚度.结合成膜机理和经典电子理论对测试结果进行分析得到,工艺参数通过表面扩散、原子刻蚀以及基元成分、能量和浓度等中间因素决定着样品的表面形貌和光学性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘爽	电子科技大学光电信息学院	65	410	11.0	17.0
2	陈伟	电子科技大学光电信息学院	68	288	8.0	12.0
3	张怡		7	16	3.0	3.0
4	张佳宁	电子科技大学光电信息学院	2	5	1.0	2.0