以TiO2为缓冲层在GaN上外延生长PZT铁电薄膜

• 作者: 朱俊 李理 罗文博
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光沉积 PZT TiO2 缓冲层 GaN
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 492-495
• 分类号: O484.1|O484.2
• 字数: 2341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.05.08

摘要

采用脉冲激光沉积技术在(0001)取向的GaN基片上以TiO2为缓冲层外延生长了PZT(111)单晶薄膜.X射线衍射分析表明PZT(111)衍射峰的摇摆曲线半高宽为0.4°,说明薄膜结晶性能良好.PZT薄膜疲劳特性测试结果表明,在经过107次翻转后PZT薄膜的剩余极化强度开始出现下降.P-E电滞回线和I-V测试表明PZT薄膜矫顽场(2Ec)为350 kV/cm,剩余极化(2Pr)约为96 μC/cm2,在1 V电压下薄膜的漏电流密度为1.5×10-7 A/cm2.以上性能测试结果表明,在半导体GaN上外延生长的PZT铁电薄膜性能基本满足铁电随机存储器的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	34	102	5.0	6.0
2	罗文博	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	25	79	5.0	6.0
3	李理	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	25	3.0	3.0