SOI技术的发展思路

• 作者: 陈昕
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SOI(silicon on Insulator) 浮体效应 自加热效应 阈值漂移 辐射加固
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 固体电子电路技术
• 页码范围: 193-196
• 分类号: TN386
• 字数: 3858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.02.016

摘要

对SOI技术的发展情况进行了概述.在此基础上,提出了新形势下SOI技术的发展思路.为了充分发挥SOI技术的优势,主要的思路是对影响器件稳定性的因素采取抑制方法、通过新结构和新材料的研究来应对硅基集成电路的固有弱点、通过关键技术攻关来应对SOI技术应用于射频及模拟和M/S电路时的物理模型问题、通过创新来推进SOI技术与新技术领域的融合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈昕	同济大学电子科学与技术系	14	42	3.0	6.0