AlN缓冲层对AlGaN表面形貌的影响

• 作者: 史会芳 李培咸 李慧
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 表面形貌 AlGaN AlN缓冲层
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 55-57
• 分类号: TN92
• 字数: 2010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2010.07.017

摘要

使用扫描电子显微镜、高分辨率X射线衍射、Raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的AlGaN样品表面形貌的形成原因进行研究.结果表明,AlN缓冲层的晶体质量,对后续外延层的结晶质量具有重要的影响,这也解释了AlGaN表面形貌的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李慧	西安电子科技大学技术物理学院	40	131	8.0	9.0
2	李培咸	西安电子科技大学技术物理学院	36	324	10.0	17.0
3	史会芳	西安电子科技大学技术物理学院	2	14	2.0	2.0