硫化时间对于固态硫化CuInS2薄膜性能影响

• 作者: 庄大明 张弓 杨宇
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能电池 CIS 磁控溅射 硫化时间
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 236-239
• 分类号: TK513.5
• 字数: 1858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.03.04

摘要

采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜,采用固态硫化法制备获得了CuInS2(CIS)吸收层薄膜.考察了硫化时间对于CIS薄膜结构、形貌以及禁带宽度影响.通过XRD分析了薄膜结构,通过SEM以及XRF分析薄膜表面形貌以及薄膜成分,通过近红外透过曲线得出薄膜禁带宽度.结果表明,在400 ℃硫化10,15,20,25,30 min下均能制得单一黄铜矿相CIS薄膜,并且具有(112)面择优取向.以上各硫化时间下,均能形成均匀且晶粒大小为1 μm的CIS薄膜,薄膜禁带宽度约为1.10～1.22 eV之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张弓	清华大学机械工程系	81	914	16.0	27.0
2	庄大明	清华大学机械工程系	104	1374	22.0	32.0
3	杨宇	清华大学机械工程系	16	99	6.0	9.0