石墨上多晶硅薄膜的制备及择优取向的调控

• 作者: 尹志岗 应杰 张汉 施辉伟 汪宇 陈诺夫 黄添懋
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜 石墨 快速热退火 氧化锌 择优取向
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 548-551,559
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2397字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.09.005

摘要

利用磁控溅射在石墨衬底上制备了非晶硅薄膜,并使用快速热退火对薄膜进行了晶化处理.XRD分析表明,直接溅射沉积在石墨衬底上的硅薄膜经过快速热退火后具有高度的(220)择优取向.通过在硅薄膜和石墨衬底界面处引入一定厚度的ZnO中间层,晶化后的多晶硅薄膜择优取向实现了从(220)向(400)的转变,从而非常有利于将成熟的制绒工艺应用于该材料体系的电池制备过程中.对于择优取向的转变提出了解释,认为Si(100)面和ZnO(001)面晶格匹配是主要原因.喇曼分析表明ZnO中间层的引入提高了多晶硅薄膜的晶体质量.