GaN基p-i-n型紫外探测器光生载流子屏蔽效应模型

• 作者: 刘红侠 匡潜玮 周文 曹磊 高博
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 关键词: GaN p-i-n 紫外探测器 光生载流子屏蔽效应
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚态物理学
• 页码范围: 966-974
• 页数: 9页
• 语种: 中文

摘要

通过求解光生载流子连续性方程,得出GaN基p-i-n型紫外探测器耗尽层中的光生载流子密度分布.根据泊松方程计算了光生载流子屏蔽电场,并通过数值计算方法将光生载流子屏蔽电场引入器件模型,建立了光生载流子屏蔽效应模型.在此基础上,讨论了光生载流子屏蔽效应对p-i-n型探测器耗尽区光生载流子密度分布的影响,并分析了外加偏压、入射光功率以及载流子寿命对光生载流子屏蔽效应模型的影响.结果表明光生载流子屏蔽效应对器件性能的影响是非单调的,且通过调节外置偏压可以得到最大载流子漂移速度和最小器件响应时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠		91	434	10.0	15.0
2	高博		7	15	3.0	3.0
3	周文		2	1	1.0	1.0
4	匡潜玮		3	7	1.0	2.0
5	曹磊		6	19	3.0	4.0