基于双基区晶体管的负阻特性静态随机存储单元电路的设计

• 作者: 王永顺 罗贤亮 董晨民
• 来源期刊: 电脑知识与技术：学术交流
• 学科: 工学
• 关键词: 双基区晶体管 静态随机存储器 负阻器件
• 年，卷（期）: 2010,（3X）
• 页码范围: 2251-2252
• 页数: 2页
• 分类号: TN322

摘要

双基区晶体管是一种硅基三端压控型负阻器件,它的Ic—Vbe曲线具有双稳态特性。利用双基区晶体管的负阻、高速特性构成的静态随机存储电路,结构简单、器件数量少、噪声容限大抗干扰能力强、速度快。将4v时钟信号作为器件的驱动电源,降低了电路功耗。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永顺	兰州交通大学电子与信息工程学院	35	128	7.0	9.0
2	罗贤亮	兰州交通大学电子与信息工程学院	2	0	0.0	0.0
3	董晨民	兰州交通大学电子与信息工程学院	2	0	0.0	0.0