反应溅射法制备氮化铝薄膜及工作气压对其场发射性能的影响

• 作者: 严辉 李松玲 王如志 王波 赵维
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝薄膜 场发射 工作气压 缺陷
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 792-797
• 分类号: TN873
• 字数: 3737字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.005

摘要

采用反应磁控溅射法在不同工作气压(0.5～2.0 Pa)下沉积了一系列氮化铝(AIN)薄膜.研究发现,在保持其他工艺参数不变的条件下,工作气压对薄膜厚度的影响很小.场发射性能测试表明,在较低的工作气压(0.5 Pa和0.7 Pa)下制备的A1N薄膜具有一定的场发射性能.扫描电子显微镜(SEM)图像显示,在较高的工作气压(2.0 Pa)下制备的薄膜易产生空位及微空洞等缺陷,使薄膜致密性下降.电子在薄膜中的输运因受到缺陷的散射而不能隧穿表面势垒进行发射.研究表明,为获得具有良好场发射性能的A1N薄膜,若采用反应磁控溅射法,应选取较低的工作气压;同时,对于薄膜型阴极,具有紧密晶粒结构及较小缺陷的薄膜可能具有更优异的场发射性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料科学与工程学院	178	1225	16.0	29.0
2	王波	北京工业大学材料科学与工程学院	80	638	11.0	23.0
3	王如志	北京工业大学材料科学与工程学院	48	136	6.0	10.0
4	李松玲	北京工业大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0
5	赵维	北京工业大学材料科学与工程学院	3	2	1.0	1.0