热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响

• 作者: 刘小平 谢二庆 贺德衍 邵乐喜 陈光华
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN薄膜 场电子发射 热退火 滞后
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1015-1018
• 页数: 4页
• 分类号: O414
• 字数: 2953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.041

摘要

以氮气为反应气体,用射频反应溅射方法制备了AlN薄膜,结合XPS和XRD表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响.实验表明,热退火是改善样品场发射稳定性的有效途径,样品经700C退火后,发射电流的涨落从未退火前的135μA下降到20μA;并且发射的开启电压、发射电流的涨落和滞后等对退火温度表现出强烈的依赖性.文中认为,退火处理造成了薄膜结构的变化,引起表面电子亲和势特性以及电导特性的改变,进而影响了其发射特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢二庆	兰州大学物理科学与技术学院	84	371	11.0	14.0
2	贺德衍	兰州大学物理科学与技术学院	68	559	13.0	19.0
3	陈光华	北京工业大学材料科学与工程学院	65	396	11.0	16.0
4	刘小平	湛江师范学院物理系	11	60	5.0	7.0
5	邵乐喜	湛江师范学院物理系	22	106	6.0	9.0