氮化铝薄膜的厚度对场发射特性的影响

• 作者: 何志 刘立华 李英爱 杨大鹏 赵永年 马红梅
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝薄膜 场发射特性 厚度
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 379-383
• 页数: 5页
• 分类号: TN873.95
• 字数: 2555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.04.016

摘要

采用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(20～150 nm)纤锌矿结构的纳米AlN薄膜.在超高真空系统中测量了不同膜厚样品的场发射特性,发现阈值电场随着厚度的增加有增大的趋势.厚度为44 nm的AlN薄膜样品具有最低的阈值电场(10 V/μm),当外加电场为35 V/μm时,最高发射电流密度为284 μA/cm2.AlN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了AlN薄膜表面势垒发射到真空.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘立华	吉林大学超硬材料国家重点实验室	25	36	4.0	4.0
5	赵永年	吉林大学超硬材料国家重点实验室	23	119	7.0	9.0
6	何志	吉林大学超硬材料国家重点实验室	12	86	6.0	9.0
7	李英爱	吉林大学超硬材料国家重点实验室	17	82	6.0	8.0
8	杨大鹏	吉林大学超硬材料国家重点实验室	15	65	5.0	6.0
9	马红梅	吉林大学超硬材料国家重点实验室	2	32	2.0	2.0