水浴温度对化学浴沉积CdS薄膜性能的影响

• 作者: 庄大明 张弓 段宇波
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: CdS薄膜 化学浴沉积(CBD) 水浴温度
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 21-26
• 分类号: TK51
• 字数: 4671字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9289.2010.05.003

摘要

采用化学浴沉积法(CBD)在硫酸镉、硫脲、氨水、氯化铵溶液体系中制备了CdS薄膜,研究了水浴温度对CdS薄膜的生长过程和物理性能的影响.试验表明,CdS薄膜的生长速率随着水浴温度提高而显著增加,薄膜从疏松变的致密,但是过高的水浴温度会导致表面晶粒变的粗糙;薄膜的结晶程度随着水浴温度提高而增强,择优取向明显;制得的CdS薄膜均有较高的光透过率,随着水浴温度的提高,薄膜厚度增加,透过率在波长560 nm处出现峰值;所得薄膜均是富Cd的,且随着水浴温度的提高Cd含量也增加;薄膜的暗电导率约为10-5～10-4 Ω-1cm-1,比光电导率小2～3个数量级,电导率与水浴温度没有明显对应关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段宇波	清华大学机械工程系	2	16	2.0	2.0
2	张弓	清华大学机械工程系	81	914	16.0	27.0
3	庄大明	清华大学机械工程系	104	1374	22.0	32.0