水浴温度对化学浴沉积制备的CdxZn1-xS薄膜光电性能的影响

• 作者: 李金泽 沈鸿烈 焦静
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学浴沉积 CdxZn1-xS薄膜 光电流响应 光电导
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 页码范围: 2051-2056
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 4083字
• 语种: 中文

摘要

采用氯化镉,氯化锌,硫脲,柠檬酸钠和氨水构成的溶液体系通过化学浴沉积法合成CdxZn1-xS薄膜,采用SEM、EDS、XRD和紫外可见近红外分光光度计等表征手段研究了CdxZn1-xS薄膜的形貌、组分、相结构和光学性能,测试了薄膜的光电流响应曲线进而对薄膜的光电性能进行了分析.结果表明,在65 ～ 85℃水浴温度下均可以制备CdxZn1-xS薄膜,随着水浴温度升高,薄膜中Zn的原子比例相对增加,光学带隙增大;制备的薄膜均显示了明显的光电导现象.75℃制备的薄膜的表面最为平整致密,结晶性最好,光学带隙为2.72 eV,光暗电导比为1.20;光源关闭后电流下降过程最快,关闭10 s后电流下降了约69.39％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	93	264	9.0	10.0
2	焦静	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	4	13	2.0	3.0
3	李金泽	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	9	21	3.0	4.0