氮化硅薄膜MIM电容器的制备与性能研究

• 作者: 余为国 娄非志 张继华 杨传仁 陈宏伟
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 金属-绝缘体-金属(MIM)电容器 SiNx薄膜 介电性能 电容温度系数(TCC) I-V特性
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 45-47
• 分类号: TM53
• 字数: 1760字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.05.014

摘要

在被釉氧化铝陶瓷基片上,采用真空电阻蒸发法和等离子体增强化学气相沉积法制备了Au/NiCr电极薄膜及氮化硅(SiNx)介质薄膜,并对薄膜进行光刻图形化,制成了Au/NiCr/SiNx/Au/NiCr结构的MIM电容器.研究了所制电容器的介电性能、介温性能和I-V特性等电学性能.结果表明:所得MIM电容器具有很低的介电损耗(1 MHz时tan(为0.001 92)及很高的电压稳定性;在-55～+150 ℃的范围内其1 MHz时的电容温度系数为258×10-6/℃;另外,其I-V特性曲线显示出较好的对称性,漏电流密度较低,可承受较高的电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余为国	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	12	2.0	2.0
2	杨传仁	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	69	525	11.0	18.0
3	陈宏伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	51	360	10.0	15.0
4	娄非志	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	11	2.0	2.0
5	张继华	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	47	193	8.0	9.0