Ni添加量对FeCoNiB-SiO2薄膜电磁性能的影响

• 作者: 冯则坤 王鲜 聂彦 邱景 龚荣洲
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶薄膜 微波电磁性能 复磁导率 共振频率
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 28-31
• 分类号: O484
• 字数: 2865字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.10.009

摘要

采用RF溅射工艺制备了FeCoNiB-SiO2系薄膜.研究了Ni添加量对该种薄膜微结构和电磁性能的影响.结果表明,添加适量的Ni有利于FeCoNiB-SiO2薄膜获得优良的微波电磁性能.通过控制Ni的添加量,可以得到在GHz频段同时具有高磁导率和高损耗的薄膜样品,其磁导率实部μ'和虚部μ" 在0.5～2.0GHz的宽频带范围内分别大于240和100,在2.1 GHz处更是均大于400,其电阻率也达到了868x10-6Ω·cm.该薄膜可应用于微波吸收材料或抗电磁干扰的设计中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚荣洲	华中科技大学电子科学与技术系	93	817	15.0	24.0
2	冯则坤	华中科技大学电子科学与技术系	109	961	18.0	25.0
3	邱景	华中科技大学电子科学与技术系	4	11	3.0	3.0
4	聂彦	华中科技大学电子科学与技术系	38	401	12.0	19.0
5	王鲜	华中科技大学电子科学与技术系	38	236	9.0	14.0