基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管

• 作者: 姚绮君 张群 李曙新
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜晶体管 氧化锌 氧化铟 氧化钛
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 569-571
• 分类号: O753.2
• 字数: 2018字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.025

摘要

在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49:49:2.所制备的器件场致迁移率达到9.8 cm2/V·s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61 V/dec.和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张群	复旦大学材料科学系	110	917	15.0	24.0
2	姚绮君	复旦大学材料科学系	1	0	0.0	0.0
6	李曙新		5	28	3.0	5.0