Mg2Si半导体薄膜的磁控溅射制备

• 作者: 余志强 肖清泉 谢泉 赵珂杰
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: Mg2Si薄膜 择优生长 磁控溅射 退火
• 年，卷（期）: 2010,（18）
• 页码范围: 5-7,14
• 分类号: TN3
• 字数: 2403字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射技术和退火工艺制备出Mg2Si半导体薄膜,研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响.首先在Si(111)衬底上溅射沉积380nm Mg膜,然后在退火炉内氩气氛围500℃退火,退火时间分别为3.5h、4.5h、5.0h、5.5h、6.0h.采用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和形貌进行了表征.结果表明,采用磁控溅射方法成功地制备了环境友好的半导体Mg2Si薄膜.Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性,最强衍射峰出现在40.12°位置;随着退火时间的延长,Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度先逐渐增强后逐渐减弱,退火5h后,样品的衍射峰最强.Mg2Si晶粒随着退火时间的延长,先逐渐增大,退火5h后逐渐减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
2	余志强	贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所	10	38	4.0	6.0
3	肖清泉	贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所	40	199	7.0	13.0
4	赵珂杰	贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所	6	44	4.0	6.0