后摩尔时代的封装技术

• 作者: 童志义
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 后摩尔定律时代 封装技术 发展趋势 TSV阵列堆叠 3D堆叠封装 多层嵌入式芯片 系统级封装
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 1-8
• 分类号: TN405.97
• 字数: 9043字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2010.06.001

摘要

介绍了在高性能的互连和高速互连芯片(如微处理器)封装方面发挥其巨大优势的TSV互连和3D堆叠的三维封装技术.采用系统级封装(SiP)嵌入无源和有源元件的技术,有助于动态实现高度的3D-SiP尺寸缩减.将多层芯片嵌入在内核基板的腔体中;采用硅的后端工艺将无源元件集成到硅衬底上,与有源元件芯片、MEMS芯片一起形成一个混合集成的器件平台.在追求具有更高性能的未来器件的过程中,业界最为关注的是采用硅通孔(TSV)技术的3D封装、堆叠式封装以及类似在3D上具有优势的技术,并且正悄悄在技术和市场上取得实实在在的进步.随着这些创新技术在更高系统集成中的应用,为系统提供更多的附加功能和特性,推动封装技术进入后摩尔时代.