金属基NiCr-NiSi薄膜热电偶的制备及性能研究

• 作者: 于浩 刘兴钊 唐磊 姚飞 张万里 蒋洪川
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: NiCr-NiSi薄膜热电偶 静态标定 塞贝克系数
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 6-8
• 分类号: TP212.1
• 字数: 2348字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.09.002

摘要

采用电子束蒸发和磁控溅射法在Ni基超合金基片上制备NiCr-NiSi薄膜热电偶,薄膜热电偶依次由Ni基超合金基片、NiCrAlY过渡层,Al2O3热氧化层、氧化铝绝缘层、NiCr-NiSi薄膜热电偶层以及氧化铝保护层构成.对此薄膜热电偶样品的静态标定结果表明,所制备的金属基NiCr-NiSi薄膜热电偶在25～600℃内具有良好的线性度,Seebeck(塞贝克)系数达到37.5μV/K,略低于K型标准热电偶的塞贝克系数40.0μV/K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	586	12.0	19.0
2	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
3	刘兴钊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	56	310	9.0	14.0
4	姚飞	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	11	1.0	1.0