退火温度对Al、Cu、Ni诱导Si薄膜晶化进程的影响

• 作者: 李洪涛 杨波 苗启林 蒋百灵 蔡敏利
• 来源期刊: 金属热处理
• 学科: 工学
• 关键词: 硅薄膜 退火 晶化过程 扩散
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 33-36
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文

摘要

基于金属诱导晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al-Si、Cu-Si和Ni-Si薄膜.采用真空退火炉和X射线衍射仪于不同温度下对样品进行了退火试验并分析了退火后薄膜物相结构的变化规律.结果表明,Al诱导SAi薄膜晶化的效果最好,Cu次之,Ni诱导Si薄膜晶化的效果较差;AI可在退火温度为400℃时诱导Si薄膜晶化,且随退火温度的升高Si的平均晶粒尺寸增大;Cu-Si薄膜的内应力较大和Ni-Si薄膜中Ni/Si界面处难以形成NiSi2是Cu、Ni诱导Si薄膜晶化效果较差的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋百灵	西安理工大学材料科学与工程学院	241	5240	40.0	64.0
2	杨波	西安理工大学材料科学与工程学院	35	246	8.0	14.0
3	李洪涛	西安理工大学材料科学与工程学院	23	146	8.0	10.0
4	蔡敏利	西安理工大学材料科学与工程学院	2	12	2.0	2.0
5	苗启林	西安理工大学材料科学与工程学院	2	12	2.0	2.0