高能粒子辐照对InGaN材料电子浓度和光致发光的影响

• 作者: 董少光
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN材料 辐照 电子浓度 PL光谱
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 376-380
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23

摘要

研究了高能粒子辐照对InGaN材料的电子浓度变化和PL光谱强度在不同温度下变化的影响。高能粒子辐照使InGaN材料的电子浓度明显增加，表明辐照损伤在InGaN材料中产生的本征点缺陷主要是类施主点缺陷，高能粒子辐照产生的高浓度本征点缺陷最终将缺陷的Fermi能稳定在氐处。在低温和室温条件下，InGaN材料的PL光谱随高能粒子辐照剂量的增加而变宽，且PL峰能向高能方向偏移。InGaN材料的PL光谱随辐照剂量的增加而变宽，原因是该材料中电子浓度的增加以及k选择的紊乱。研究结果表明，与一般的太阳能电池材料GaAs和GaInP相比，InGaN材料具有非常优越的抗辐照性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董少光	佛山科学技术学院光电子与物理学系	24	34	3.0	5.0